| Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作 |
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| 引用本文： | 崔虹云,张海丰,吴云飞.Al金属多晶硅纳米膜欧姆接触的制作[J].佳木斯大学学报,2009,27(5):711-714. |
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| 作者姓名： | 崔虹云 张海丰 吴云飞 |
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| 作者单位： | 佳木斯大学理学院; |
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| 摘 要： | 利用低压化学气相淀积法(LPCVD)在表面有热氧化二氧化硅的(100)硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属的欧姆接触样品,在不同退火温度条件下对样片的电阻进行测量.结果表明,退火使欧姆接触的电阻率降低,接触电阻率可达到2.41×10-3Ω.cm2.
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| 关 键 词： | 多晶硅纳米膜 欧姆接触 接触电阻率 |
Formation of Al Ohmic Contacts to Polysilicon Nanofilms |
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| CUI Hong-yun,ZHANG Hai-feng,WU Yun-fei.Formation of Al Ohmic Contacts to Polysilicon Nanofilms[J].Journal of Jiamusi University(Natural Science Edition),2009,27(5):711-714. |
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| Authors: | CUI Hong-yun ZHANG Hai-feng WU Yun-fei |
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| Institution: | College of Natural Science;Jiamusi University;Jiamusi 154007;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polysilicon nanofilms ohmic contact contact resistivity |
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