| CuO薄膜的阻变存储特性 |
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| 引用本文： | 胡苹,尹岚,陈铀,李树玮.CuO薄膜的阻变存储特性[J].南华大学学报(自然科学版),2014,28(3):76-81. |
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| 作者姓名： | 胡苹 尹岚 陈铀 李树玮 |
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| 作者单位： | 1. 南华大学 数理学院,湖南 衡阳,421001
2. 中山大学 物理科学与工程技术学院,广东 广州,510275 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，湖南省教育厅基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用等离子体辅助的分子束外延设备在SrTiO3掺Nb（Nb：STO）的衬底上制备了双层的Cu2O/CuO薄膜,经过测量其电流电压特性,发现Pt/Cu2O/CuO/Nb：STO器件的阻变存储特性非常显著,而且可重复程度高,适合多次数据写入与擦除,有望应用于信息存储领域.
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| 关 键 词： | 分子束外延 双极阻变开关 非易失性 |
| 收稿时间： | 2014/3/30 0:00:00 |
Resistive Switching Characteristics of Copper Oxide Thin Films |
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| HU Ping,YIN Lan,CHEN You and LI Shu-wei.Resistive Switching Characteristics of Copper Oxide Thin Films[J].Journal of Nanhua University:Science and Technology,2014,28(3):76-81. |
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| Authors: | HU Ping YIN Lan CHEN You and LI Shu-wei |
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| Institution: | HU Ping;YIN Lan;CHEN You;LI Shu-wei;School of Mathematics and Physics,University of South China;The School of Physics and Engineering,Sun Yat-sen University; |
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| Abstract: | In this letter,bilayered Cu2 O /CuO thin films were grown on Nb doped SrTiO3（ Nb： STO） substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy. The current-voltage characteristics of Pt /Cu2 O /CuO /Nb： STO devices show reproducible and pronounced current-voltage hysteresis which was induced by the CuO /Nb： STO junctions. The device can be used as information storage for its reproducibility and nonvolatility. |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy bipolar resistive switching nonvolatile |
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