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纳米掺杂Ag/SnO2触头材料的制备及电弧侵蚀性能研究
作者姓名:刘松涛  王俊勃  杨敏鸽  思芳  杨增超
作者单位:西安工程大学机电工程学院,陕西西安,710048
基金项目:陕西省教育厅科学研究计划自然科学专项资助项目
摘    要:以CuO和La2O3为掺杂剂,采用高能球磨法制备掺杂纳米SnO2粉体,再采用热挤压工艺制成银含量88%的纳米掺杂Ag/SnO2触头材料,利用扫描电子显微镜、电导率测试仪、显微硬度计对该触头材料进行了微观组织表征及性能测试,随后,利用该触头材料在10A交流电流条件下进行电弧侵蚀性能测试.结果表明,触头材料中氧化物在银基体上分布均匀;Ag/SnO2触头材料的密度、硬度和电导率分别为9.704 1g/cm^3,104.2和75;电弧烧蚀速率为103.65μg/C,并研究了熔层表面的微观组织结构.

关 键 词:纳米  Ag/SnO2触头材料  热挤压电弧侵蚀
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