| GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 李拥华,徐彭寿,潘海滨,徐法强.GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究[J].中国科学技术大学学报,2004,34(5):637-642. |
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| 作者姓名： | 李拥华 徐彭寿 潘海滨 徐法强 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029 |
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| 基金项目： | 中科院知识创新工程资助项目 |
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| 摘 要： | 用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性 ( 1 1 0 )表面的原子结构和电子结构 ,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好 .用层晶超原胞模型计算立方GaN ( 1 1 0 )表面的原子和电子结构 ,发现表面顶层原子发生键长收缩并旋转的弛豫特性 ,表面阳离子向体内移动 ,与周围阴离子形成sp2 杂化 ,而表面阴离子则形成p3 型锥形结构 .其面旋角为 1 4 .1°,比传统的Ⅲ V族半导体 ( 1 1 0 )表面面旋角 ( 30°± 2°)小得多 ,这主要与材料的离子性有关 .此外 ,在带隙附近还发现了两个表面态 ,一个是占据的表面态 ,主要是由N的p电子构成的 ;另一个是空态 ,主要由阳离子的轨道构成 .在驰豫后 ,这两个表面能带都移出带隙 ,分别进入导带和价带 ,形成共振表面态
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| 关 键 词： | GaN APW LO 表面原子结构 表面电子结构 |
| 文章编号： | 0253-2778(2004)05-0637-06 |
| 修稿时间： | 2003年8月29日 |
First Principile Study on the Atomic and Electronic Structure of GaN(110) |
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| LI Yong-hua,XU Peng-shou,PAN Hai-bin,XU Fa-qiang.First Principile Study on the Atomic and Electronic Structure of GaN(110)[J].Journal of University of Science and Technology of China,2004,34(5):637-642. |
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| Authors: | LI Yong-hua XU Peng-shou PAN Hai-bin XU Fa-qiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN APW LO method surface atomic structure surface electronic structure |
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