| 基于TCAD的门极换流晶闸管的研究 |
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| 引用本文： | 苏陶,刘玉欣,何晓雄.基于TCAD的门极换流晶闸管的研究[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2013,36(3):285-286,302. |
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| 作者姓名： | 苏陶 刘玉欣 何晓雄 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230009 |
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| 基金项目： | 安徽省自然科学基金资助项目，安徽省高校省级自然科学研究重点资助项目 |
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| 摘 要： | 文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研究成果对GCT器件的设计和制造具有重要的参考价值。
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| 关 键 词： | 门极换流晶闸管(GCT) 透明阳极 通态特性 栅极数目 电力半导体器件 |
Research on gate-commutated thyristor by TCAD |
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| SU Tao
,
LIU Yu-xin
,
HE Xiao-xiong.Research on gate-commutated thyristor by TCAD[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2013,36(3):285-286,302. |
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| Authors: | SU Tao LIU Yu-xin HE Xiao-xiong |
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| Institution: | (School of Electronic Science and Applied Physics,Hefei University of Technology,Hefei 230009,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gate-commutated thyristor (GCT) transparent anode on-state characteristic number of gates power semiconductor device |
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