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| 热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响 | |
| 引用本文： | 罗胜耘,谢泉,张晋敏,肖清泉,金石声,朱林山,闫万珺,陈坤,罗娇莲,Koji Yamada,Kiyoshi Miyake.热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响[J].贵州大学学报(自然科学版),2006,23(1):81-85. |
| 作者姓名： | 罗胜耘 谢泉 张晋敏 肖清泉 金石声 朱林山 闫万珺 陈坤 罗娇莲 Koji Yamada Kiyoshi Miyake |
| 作者单位： | 1. 贵州大学,计算机科学与工程学院光电子信息功能材料实验室,贵阳,550025 2. 贵州大学,计算机科学与工程学院光电子信息功能材料实验室,贵阳,550025;长沙理工大学,物理与电子科学系,长沙,410076 3. 日本Saitama大学机能材料工学科,日本,Saitama,338-8570 |
| 基金项目： | 湖南省教育厅青年基金(03B006)，湖南省自然科学基金(04JJ3030)，国家人事部留学归国人员择优资助项目(200403)，贵州省教育厅重点基金(05JJ002)，贵州大学人才引进基金资助项目(04RCJJ001) |
| 摘 要： | 作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。 |
| 关 键 词： | 环境半导体材料 β-FeSi2 IBD 退火温度 |
| 文章编号： | 1000-5269（2006）01-0081-05 |
| 收稿时间： | 2005-11-16 |
| 修稿时间： | 2005年11月16 |
The Effect of Annealing Temperature on the Formation of Environmental Semiconductor Material β-FeSi2 |
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| LUO Shengyun,XIE Quan,ZHANG Jinming,XIAO Qingquan,JIN Shisheng,ZHU Linshan,YAN Wanjun,CHEN Kun,Jiaolian Luo,Koji Yamada,Kiyoshi Miyake.The Effect of Annealing Temperature on the Formation of Environmental Semiconductor Material β-FeSi2[J].Journal of Guizhou University(Natural Science),2006,23(1):81-85. | |
| Authors: | LUO Shengyun XIE Quan ZHANG Jinming XIAO Qingquan JIN Shisheng ZHU Linshan YAN Wanjun CHEN Kun Jiaolian Luo Koji Yamada Kiyoshi Miyake |
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