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| 用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1-xP的光学性质(Ⅱ) | |
| 作者姓名： | 张淑芝 张燕锋 黄柏标 黄根生 秦晓燕 |
| 作者单位： | 山东大学光电系;山东大学晶体材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 用椭偏光谱法对用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ掺Ｓｉ及掺Ｚｎ样品在室温下,可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱．将用于分析调制反射谱的三点比例法推广,并用来分析介电函数的三级微商谱．精确地得到样品的带隙Ｅｇ,Ｅｇ＋△０以及Ｅｇ以上成对结构跃迁的能量位置及其间隔．计算了Ｅｇ以及费米能级的相对位置．将实验值与计算值比较,分析其差异的原因,发现样品存在有序结构 |
| 关 键 词： | 介电函数三级微商谱 三点比例内插 有序结构 |
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