利用聚苯乙烯纳米球刻蚀法制备周期有序δ-MnO2纳米阵列

利用聚苯乙烯(polystyrene, PS)纳米球刻蚀结合水热生长的方法,制备周期有序δ-MnO₂纳米阵列。利用磁控溅射MnO₂靶材获得种子层,将PS纳米球通过自组装方法在MnO₂种子层上形成单层密堆积结构来制备图案化模板,再通过反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)减小PS纳米球的尺寸,并利用磁控溅射SiO₂靶材来覆盖PS纳米球间的间隙,去除衬底上的PS纳米球以得到周期有序的MnO₂种子位点,用于后续水热生长。通过选取不同尺寸的PS纳米球,制备周期分别为800和500 nm的有序纳米阵列,利用透射电子显微镜(transmission electron microscopy, TEM)对其进行表征,并确认阵列中MnO₂材料为δ相。研究结果为寻找低成本制备半导体材料有序纳米阵列提供了方法。