低能离子注入的应用

集成电路的发展要求制备了出超浅结或超薄有源层，以满意器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１μｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及其在一些器件上应用的结果。