| 氮化铝薄膜微波换能器的研制 |
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| 引用本文： | 刘付德,梁子南.氮化铝薄膜微波换能器的研制[J].应用科学学报,1991,9(2):117-122. |
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| 作者姓名： | 刘付德 梁子南 |
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| 作者单位： | 西安交通大学
(刘付德)，电子科技大学(梁子南) |
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| 摘 要： | 阐述用直流平面磁控溅射法在z-LiNbO_3传声介质上淀积出优质氮化铝薄膜,并制成了一维纵模微波换能器,还由它制成了微波体声波延迟线.该延迟线在中心频率为2.21GHz、延迟时间为1.83μs下插损为22dB,带宽(3dB)为13％.对在微波频率下应用的这种AlN压电薄膜,由导纳法经实验曲线和理论计算结果的拟合获得这种横向受夹厚度模压电薄膜的机电耦合系数为0.13,这个结果略小于块材AlN的值,可能主要是由于所生长的AlN薄膜微晶晶粒的c轴方向有一定的分散性和c轴反向性所致.从电导测定结果表明换能器中有一等效的串联电阻,它可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因.
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| 关 键 词： | 氮化铝 薄膜 微波换能器 换能器 |
INVESTIGATION OF ALUMINIUM NITRIDE THIN FILMTRANSDUCERS |
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| LIUFU De.INVESTIGATION OF ALUMINIUM NITRIDE THIN FILMTRANSDUCERS[J].Journal of Applied Sciences,1991,9(2):117-122. |
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| Authors: | LIUFU De |
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| Institution: | LIUFU De(Xi'an Jiaotong University)LIANG ZINAN (University of Electronic Science and Technology of China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | alumininm nitride thin film transducer |
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