| 国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究 |
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| 引用本文： | 王荣,司戈丽,张新辉,郭增良,翟佐绪. 国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2001, 37(4): 507-510 |
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| 作者姓名： | 王荣 司戈丽 张新辉 郭增良 翟佐绪 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所,;信息产业部第十八研究所, |
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| 基金项目： | 教育部重点实验室基金;; |
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| 摘 要： | 研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．
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| 关 键 词： | Si太阳电池 GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 |
| 修稿时间： | 2001-03-19 |
A STUDY ON PROTON IRRADIATION EFFECTS OF HOME-MADE SOLAR CELL FOR SPACE USE |
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| Wang Rong) Si Geli) Zhang Xinhui) Guo Zengliang) Zhai Zuoxu). A STUDY ON PROTON IRRADIATION EFFECTS OF HOME-MADE SOLAR CELL FOR SPACE USE[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2001, 37(4): 507-510 |
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| Authors: | Wang Rong) Si Geli) Zhang Xinhui) Guo Zengliang) Zhai Zuoxu) |
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| Affiliation: | Wang Rong1) Si Geli1) Zhang Xinhui2) Guo Zengliang2) Zhai Zuoxu2) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si solar cell GaAs/Ge solar cell proton irradiation |
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