| MOCVD的GaInP薄膜生长可视化研究 |
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| 引用本文： | 胡贵华,胡小梅,朱文华,俞涛,苏玉鹏,王海东. MOCVD的GaInP薄膜生长可视化研究[J]. 系统仿真学报, 2009, 21(23) |
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| 作者姓名： | 胡贵华 胡小梅 朱文华 俞涛 苏玉鹏 王海东 |
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| 作者单位： | 上海大学CIMS与机器人中心,上海,200072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，上海市重点学科建设项目资助 |
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| 摘 要： | 运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaInP薄膜过程进行了模拟;将模拟的结果与虚拟现实(VR)系统开发的软件开发包Open Inventor接口,实现了MOCVDI反应室内GaInP薄膜生长过程的可视化仿真.模拟仿真结果准确直观地展示了MOCVD反应室内GaInp薄膜生长的过程,揭示了扩散时间和衬底温度对GaInP薄膜形貌的影响规律;可视化结果为优化MOCVD生长GaInP薄膜的工艺参数提供理论依据.
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| 关 键 词： | 动力学蒙特卡罗方法 金属有机化学气相沉积 虚拟现实系统 GaInP薄膜形貌 工艺参数 |
Study on Visualization of GaInP Thin Film Growth of MOCVD |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | KMC method MOCVD VR system GaInP thin film morphology processing parameters |
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