| 硅片空蚀实验中表面粗糙度和润湿性的影响 |
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| 引用本文： | 蒋娜娜,刘诗汉,陈大融.硅片空蚀实验中表面粗糙度和润湿性的影响[J].科学通报,2008,53(5):598-604. |
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| 作者姓名： | 蒋娜娜 刘诗汉 陈大融 |
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| 作者单位： | 清华大学摩擦学国家重点实验室 北京100084 |
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| 摘 要： | 通过几何形貌变化和沉积Au和DLC超薄膜改变硅片的表面粗糙度和润湿性, 利用自制的振动空蚀实验装置对硅片在去离子水中的材料微观破坏情况进行研究. 扫描电子显微镜(SEM)和表面形貌仪用来对实验前后的硅片表面形貌进行检测; 采用接触角测量系统对试样表面润湿性进行表征. 结果表明, 振动空蚀实验后硅片表面会产生由于脆性断裂引起的微小蚀坑和裂纹, 随实验时间增加, 蚀坑和裂纹的数量增加且尺寸增大, 造成材料剥落; 几何形貌引起的粗糙度增加和表面沉积Au和DLC超薄膜引起的表面接触角增大, 都使得硅片的空化更易于发生, 从而加重了空蚀破坏程度.
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| 关 键 词： | 空蚀 硅片 粗糙度 接触角 |
| 收稿时间： | 2007-08-02 |
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