| GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性 |
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| 作者姓名： | 刘磊 陈诺夫 汪宇 白一鸣 崔敏 高福宝 |
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| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院,保定,071002;中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池, 并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究. 通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移, 这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应. 根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9, 13.7和17 mA/cm2, 且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9 μA/(cm2·℃). 最后, 根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27 mV/℃.
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| 关 键 词： | 光谱响应 叠层电池 温度系数 |
| 收稿时间： | 2008-07-09 |
| 修稿时间： | 2008-10-05 |
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