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| 静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光 | |
| 引用本文： | 糜东林,郑健生,颜炳章,李国华,汪兆平,韩和相.静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光[J].厦门大学学报(自然科学版),1990(5). |
| 作者姓名： | 糜东林 郑健生 颜炳章 李国华 汪兆平 韩和相 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系 (糜东林，郑健生，颜炳章)，中国科学院半导体研究所 (李国华，汪兆平)，中国科学院半导体研究所(韩和相) |
| 摘 要： | 通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。 |
| 关 键 词： | GaAs_(1-x)P_1:N 束缚激子 静压 混晶无序 |
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