| MeV P^＋／Si^＋共注入SI—GaAs制备高品质n^＋埋层 |
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| 引用本文： | 姬成周,张燕文,李国辉,王文勋.MeV P^＋／Si^＋共注入SI—GaAs制备高品质n^＋埋层[J].北京师范大学学报(自然科学版),1993,29(4):488-494. |
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| 作者姓名： | 姬成周 张燕文 李国辉 王文勋 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所 100875 北京，100875 北京，100875 北京，100875 北京 |
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| 摘 要： | 采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P~+(3MeV,1×10~(14)～3×10~(14)cm~(-2))与MeV能量的Si~+(3MeV,1×10~(14)cm~(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P~+与Si~+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si~+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n~+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm~2/(V·s),激活率可达95％以上。
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| 关 键 词： | MeV 离子注入 磷 硅 共注入 砷化镓 |
MEV P~+/Si~+ CO-IMPLANTATION TO CREATE HIGH QUALITY n~+ LAYER IN SI- GaAs |
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| Ji Chengzhou Zhang Yanwen Li Gouhui Wang Wenxun.MEV P~+/Si~+ CO-IMPLANTATION TO CREATE HIGH QUALITY n~+ LAYER IN SI- GaAs[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1993,29(4):488-494. |
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| Authors: | Ji Chengzhou Zhang Yanwen Li Gouhui Wang Wenxun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MeV ion implantation P~+/Si~+ co- implantation GaAs |
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