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| 980 nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计 | |
| 引用本文： | 张莹,宋爱民,王培界.980 nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计[J].重庆邮电大学学报(自然科学版),2012,24(2):212-216. |
| 作者姓名： | 张莹 宋爱民 王培界 |
| 作者单位： | 1. 重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065 2. 重庆教育学院图书馆,重庆,400067 3. 重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
| 摘 要： | 对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法，优化了量子阱的结构，研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果，采用金属有机化合物化学气相淀积（metal organic chemical vapor deposition, MOCVD）技术外延生长了激光器的材料，并进行测试。测试结果表明，在室温下，当工作电流为1 A时，阈值电流为150 mA，斜率效率为0.48 W/A（采用150 μm×500 μm，未镀膜器件），输出功率为400 mW。 |
| 关 键 词： | 单量子阱 压应变 Al组分 金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD） 转换效率 |
| 收稿时间： | 2011/4/18 0:00:00 |
Optimal design of epitaxial layer technological parameter of 980 nm strained quantum well lasers |
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| ZHANG Ying,SONG Ai-min,WANG Pei-jie.Optimal design of epitaxial layer technological parameter of 980 nm strained quantum well lasers[J].Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications,2012,24(2):212-216. | |
| Authors: | ZHANG Ying SONG Ai-min WANG Pei-jie |
| Institution: | Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing, 400065 |
| Abstract: | |
| Keywords: | single quantum well(SQW) compressive strained Al composition metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) conversion efficiency |
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