| 部分非金属元素掺杂二维CdS的电子结构与磁性的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 曹祖琛,贺勇,张敏,史俊杰.部分非金属元素掺杂二维CdS的电子结构与磁性的第一性原理研究[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2020,51(1):64-70. |
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| 作者姓名： | 曹祖琛 贺勇 张敏 史俊杰 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,呼和浩特010022;北京大学物理学院,北京100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;内蒙古自治区自然科学基金 |
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| 摘 要： | 基于自旋极化密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究方法,研究了部分非金属元素(B-F、P、Cl、Br、Si和As)替位掺杂单层CdS的电子结构及磁性。研究结果表明,C、N、P和As元素掺杂单层CdS可诱导磁性,其余元素掺杂体系则不显示磁性。进一步研究了非金属双原子掺杂二维CdS的磁耦合作用,结果表明,As掺杂单层CdS体系呈现出铁磁态,而C、N和P掺杂的单层CdS体系则表现为反铁磁态。形成能计算表明,富S的条件下要比富Cd的条件非金属掺杂原子更易于占据S原子的位置。
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| 关 键 词： | 二维CdS 第一性原理 掺杂 磁性 |
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