| 单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线 |
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| 引用本文： | 沈小平,赵慧,武世奎.单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线[J].江苏大学学报(自然科学版),2007,28(3):216-219. |
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| 作者姓名： | 沈小平 赵慧 武世奎 |
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| 作者单位： | 江苏大学,化学化工学院,江苏,镇江212013 |
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| 基金项目： | 江苏大学校科研和教改项目
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江苏大学微米纳米中心开放基金 |
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| 摘 要： | 以乙酰丙酮合铟In（acac）3]（acac=acetylacetonate）作为单源前驱体，Au为催化剂，采用化学气相沉积法，于较低温度（550℃）下成功制得了In2O3纳米线．用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和能量分散光谱（EDS）对In2O3纳米线进行了表征；制得的In2O3纳米线具有单晶结构，平均直径约为80nm，长度达十几微米，其生长服从气一液一固机理．光致发光研究发现，In2O3纳米线在483nm处有一个强的发射峰，这可归因于氧空位的存在．
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| 关 键 词： | 纳米线 In2O3 化学气相沉积 制备 |
| 文章编号： | 1671-7775(2007)03-0216-04 |
| 修稿时间： | 2006年9月26日 |
Preparation of In2O3 nanowires by single-source chemical vapor deposition method |
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| SHEN Xiao-ping,ZHAO Hui,WU Shi-kui.Preparation of In2O3 nanowires by single-source chemical vapor deposition method[J].Journal of Jiangsu University:Natural Science Edition,2007,28(3):216-219. |
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| Authors: | SHEN Xiao-ping ZHAO Hui WU Shi-kui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanowires In2O3 chemical vapor deposition preparation |
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