| 高压IGBT暂态机理模型分析 |
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| 引用本文： | 姬世奇,赵争鸣,袁立强,鲁挺.高压IGBT暂态机理模型分析[J].清华大学学报(自然科学版),2012(11):1578-1583. |
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| 作者姓名： | 姬世奇 赵争鸣 袁立强 鲁挺 |
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| 作者单位： | 清华大学电机工程与应用电子技术系,电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”高技术项目(2011AA050402) |
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| 摘 要： | 在已有的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)机理模型的基础上将IGBT分为金属-氧化层-半导体-场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)和双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)2部分,分别对其进行建模,同时给出了模型参数的提取方法。模型在Matlab中实现。以FZ600R65KF1型IGBT为例给出了模型参数值,并完成了该型号IGBT的单管测试实验。通过对高压IGBT开通暂态、关断暂态和开关损耗的仿真结果和实验结果进行比较,验证了机理模型对于高压IGBT的适用性。
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| 关 键 词： | 关键词:绝缘栅型双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor IGBT) 机理模型 暂态 |
Transient high voltage IGBT physical model |
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| JI Shiqi,ZHAO Zhengming,YUAN Liqiang,LU Ting.Transient high voltage IGBT physical model[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2012(11):1578-1583. |
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| Authors: | JI Shiqi ZHAO Zhengming YUAN Liqiang LU Ting |
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| Institution: | (State Key Laboratory of Control and Simulation of Power System and Generation Equipments,Department of Electrical Engineering, Tsinghua University,Beijing 100084,China) |
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