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| 极性晶体膜中的强耦合磁极化子 | |
| 作者姓名： | 花修坤 顾世洧 彭飞 |
| 作者单位： | 上海交通大学,应用物理系,上海,200030;上海交通大学,应用物理系,上海,200030;上海交通大学,应用物理系,上海,200030 |
| 摘 要： | 应用变分法研究了极性晶体膜中强耦合磁极化子的性质,给出基态和激发态的系统能量,重点研究了系统处于基态和激发态时的电子－表面声子相互作用能．计算结果表明,在磁场强度一定的条件下（Ｂ＝９Ｔ）,电子－表面声子相互作用能随着膜厚的增加而减小;在一定膜厚的条件下（Ｗ＝３ｎｍ）,电子－表面声子相互作用能随着磁场强度的增加先增大而后缓慢减小,当Ｂ＝３０Ｔ时,｜Ｖｅ－ＳＯ（１）｜和｜Ｖｅ－ＳＯ（０）｜之间的差最大． |
| 关 键 词： | 电子-声子相互作用 强耦合 磁极化子 |
| 修稿时间： | 1998-06-29 |
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