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| 从MOS非稳态Ⅰ-Ⅴ特性测量硅体陷阱参数 | |
| 引用本文： | 吴凤美,郑有炓.从MOS非稳态Ⅰ-Ⅴ特性测量硅体陷阱参数[J].南京大学学报(自然科学版),1982(1). |
| 作者姓名： | 吴凤美 郑有炓 |
| 摘 要： | 本文报导了从MOS结构非稳态Ⅰ-Ⅴ特性求得硅体陷阱参数的实验方法。并讨论了扫描速率、反转电压和温度的影响。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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