量测半导体中非平衡载流子寿命的光—电流相位检波方法

本文提供了利用調制光与电流間的相位检波来测定半导体中非平衡載流子寿命的实驗装置。对这样一种新的寿命测量方法作了肯定的实驗驗証,分析了两种实驗装置的优缺点。对調制光源自身弛豫时間給予测得寿命值的影响进行了討论,有关实驗结果与分析有良好的吻合。通过有关实驗証实了本文所闡述的方法具有测量重复性好、精确度高、有较宽广的測量范圍、設备简便等显著特点,既宜于进行复合研究,也适用于器件与材料生产中的样品檢驗。