| 缺陷对单壁碳纳米管电子结构调制的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 李蕾,杨光敏,何芳,房雪晴.缺陷对单壁碳纳米管电子结构调制的第一性原理计算[J].吉林大学学报(理学版),2018,56(4):995-999. |
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| 作者姓名： | 李蕾 杨光敏 何芳 房雪晴 |
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| 作者单位： | 1. 长江师范学院 材料科学与工程学院, 重庆 涪陵 408100； 2. 长春师范大学 物理学院, 长春 130032；3. 天津大学 材料科学与工程学院, 天津 300350 |
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| 摘 要： | 用密度泛函理论计算不同浓度点空位缺陷对扶手型和锯齿型碳纳米管电子结构的调制, 并对其键长、 缺陷形成能、 带隙及电子态密度进行分析. 结果表明： 随着缺陷浓度的增加, 邻近碳原子间化学键键长减小, 扶手型碳纳米管带隙打开, 由金属性质变为半导体性质, 锯齿型碳纳米管带隙逐渐变小； 碳原子缺失使缺陷附近未成键的悬键电子局域在Fermi能级附近形成额外的电子态而改变了碳纳米管的电子结构.
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 碳纳米管 空位缺陷 电子结构 |
| 收稿时间： | 2018-01-31 |
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