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| 纳米硅(nc-Si∶H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟 | |
| 引用本文： | 胡志华,夏朝凤,徐德林,廖显伯.纳米硅(nc-Si∶H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟[J].云南师范大学学报(自然科学版),2003,23(3). |
| 作者姓名： | 胡志华 夏朝凤 徐德林 廖显伯 |
| 作者单位： | 1. 云南师范大学太阳能研究所,云南,昆明,650092;中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京,100083 2. 云南师范大学太阳能研究所,云南,昆明,650092 3. 中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 文章运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟计算了n-型纳米硅(n+-nc-Si∶H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.结果显示,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(VOC和填充因子(FF).计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax=31.17%(AM1.5100MW/cm2 0.40～1.10μm波段). |
| 关 键 词： | nc-Si∶H/c-Si异质结 太阳电池 计算机模拟 |
Computer simulation of nc-Si∶H/c-Si heterojunction solar cells |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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