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| 基于3C-SiC薄膜的光导开关的研究 | |
| 引用本文： | 杨汇鑫,宋业生,杨伟兵.基于3C-SiC薄膜的光导开关的研究[J].科技咨询导报,2013(2):73-74. |
| 作者姓名： | 杨汇鑫 宋业生 杨伟兵 |
| 作者单位： | 1. 东莞市五峰科技有限公司 广东东莞511700 2. 湛江市科海科技有限公司 广东湛江524000 |
| 基金项目： | 广东省产学研项目,项目编号20108090400479 |
| 摘 要： | 该文报道了一种可承受33 kV偏置电压的光导开关结构.该结构从两方面提高光导开关的耐压特性:两层厚度为20 μ m的3C-SiC薄膜采用HFCVD工艺制备在6H-SiC基片表面,用于输出电脉冲传输,可消除了6H-SiC基片的微管缺陷对光导开关耐压特性的影响；电极位于两层薄膜之间,增加了接触面积,因此降低了电极表面的电流密度. |
| 关 键 词： | 光导开关 3C SiC薄膜 偏置电压 |
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