|
|||||
|
|
| 工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计 | |
| 作者姓名： | 魏全 傅兴华 王元发 |
| 作者单位： | 1.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳,550025;2.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳,550025;3.贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳,550025 |
| 基金项目： | 贵州大学研究生创新基金资助项目 |
| 摘 要： | 本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源,采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合.采用CSMC(华润上华)0.5 umBiCMOS工艺,在MOS工艺角sf、27℃,得到输出基准电压为1.520 V,电路功耗仅200 nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.33 ppm/℃. |
| 关 键 词： | 纯MOS管 自偏置共源共栅 基准电压源 亚阈区 温度系数 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |