| 退火对氟化类金刚石膜结构及电学性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 肖剑荣,徐慧,王焕友,马松山.退火对氟化类金刚石膜结构及电学性能的影响[J].中南大学学报(自然科学版),2007,38(4):669-673. |
| |
| 作者姓名： | 肖剑荣 徐慧 王焕友 马松山 |
| |
| 作者单位： | [1]中南大学物理科学与技术学院,湖南长沙410083 [2]桂林工学院数理系,广西桂林541004 |
| |
| 摘 要： | 以CF4和CH4为源气体,在不同的温度和功率下,使用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氟化类金刚石（F-DLC）薄膜,并在Ar气中进行退火处理。利用椭偏仪、X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、拉曼光谱仪（Raman）以及QS电桥对薄膜厚度、结构以及电学性质进行表征。研究结果表明：在退火温度为300℃时,薄膜很稳定;退火温度达到400℃时,大部分H从膜内逸出,C—Hx（x=1,2,3）化学键基本消失,C—Fx,C=C和C=O等化学键的相对含量发生改变;薄膜的介电常数与薄膜内F的含量有关,退火使F的含量减少,介电常数增大。
|
| 关 键 词： | F-DLC薄膜 介电常数 退火 |
| 文章编号： | 1672-7207（2007）04-0669-05 |
| 修稿时间： | 2007-01-22 |
Effects of annealing on structural and electric property of fluorinated diamond-like carbon thin films |
| |
| XIAO Jian-rong,XU Hui,WANG Huan-you,MA Song-shan.Effects of annealing on structural and electric property of fluorinated diamond-like carbon thin films[J].Journal of Central South University:Science and Technology,2007,38(4):669-673. |
| |
| Authors: | XIAO Jian-rong XU Hui WANG Huan-you MA Song-shan |
| |
| Institution: | 1. School of Physics Science and Technology, Central South University, Changsha 410083, China; 2. Department of Maths and Physics, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | PECVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
