C原子在Cu(200)表面吸附的第一原理研究 |
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作者姓名: | 付志雄 毕冬梅 赵利军 |
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作者单位: | 长春大学理学院,长春130022 |
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基金项目: | 吉林省教育厅科研项目(2013263,2013268,2013279) |
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摘 要: | 采用第一原理密度泛函理论研究了C原子在Cu(200)表面吸附后的几何结构和电子结构,计算了C原子在Cu(200)表面的吸附能、Cu(200)表面的局部结构变化、表面电荷分布以及C原子吸附后的差分电荷密度。研究结果表明Cu(200)表面的Hollow位是C原子的最优吸附位,C原子与Cu原子之间形成化学键,在C原子和Cu表面之间存在电荷转移。
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关 键 词: | Cu表面 C原子吸附 第一原理 |
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