| 绝缘栅场效应管工作原理的统一表述 |
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| 引用本文： | 陈德芳,熊国海,刘敏. 绝缘栅场效应管工作原理的统一表述[J]. 三峡大学学报(自然科学版), 2002, 24(5): 397-400 |
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| 作者姓名： | 陈德芳 熊国海 刘敏 |
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| 作者单位： | 三峡大学电气信息学院,湖北,宜昌,443002 |
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| 摘 要： | 关于绝缘栅场效应管的工作原理,现行教材有几种不同的讲解,观点各不相同。结构示意图和特性曲线画法不同。但是,对同一类的场效应管而言,结构示意图和特性曲线只能有一种表述形式是正确的。从场效应管的基本结构出发,用新观点、新方法说明其基本工作原理,击穿的位置,击穿的原因。提出工作原理结构示意图的统一表述方法应当是在源衬、漏衬PN结之间是正负离子对应的耗尽层,在反型层与衬底之间是单一离子层（它不应该与耗尽层混同）。漏极特性曲线的统一表述规律是截止状态时的漏源击穿电压|BV‘DS|是各个不同VGS时,击穿电压的最大值。
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| 关 键 词： | 绝缘栅场效应管 耗尽层 单一离子层 击穿 |
| 文章编号： | 1007-7081(2002)05-0397-04 |
| 修稿时间： | 2001-11-15 |
Unified Description About Working Principle of Insulated Gate Field-Effect Transistor |
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| Chen Defang Xiong Guohai Liu Min. Unified Description About Working Principle of Insulated Gate Field-Effect Transistor[J]. Journal of China Three Gorges University(Natural Sciences), 2002, 24(5): 397-400 |
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| Authors: | Chen Defang Xiong Guohai Liu Min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | insulated gate field-effect transistor depletion layer unitary ions layer breakdown |
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