| 退火对Cd1-xZnxTe薄膜性质的影响 |
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| 引用本文： | 江洪超,金硕,武莉莉,张静全,李卫,黎兵,曾广根,王文武.退火对Cd1-xZnxTe薄膜性质的影响[J].四川大学学报(自然科学版),2013,50(4):842-848. |
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| 作者姓名： | 江洪超 金硕 武莉莉 张静全 李卫 黎兵 曾广根 王文武 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 国家“973”计划资助项目（2011CBA00708） |
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| 摘 要： | 本文用双源真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸,退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸.退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小.
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| 关 键 词： | Cd1-xZnxTe薄膜 退火 性质 |
| 收稿时间： | 2012/12/12 0:00:00 |
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