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脉冲激光烧蚀Hg0.8Cd0.2Te晶体过程的分析
引用本文:郭娟,满宝元.脉冲激光烧蚀Hg0.8Cd0.2Te晶体过程的分析[J].山东师范大学学报(自然科学版),2007,22(2):42-43.
作者姓名:郭娟  满宝元
作者单位:山东师范大学物理与电子科学学院,250014,济南
基金项目:国家自然科学基金;教育部留学回国人员科研启动基金
摘    要:文中测量了Hg0.8Cd0.2Te靶在波长为1064nm、脉宽10ns的脉冲激光辐照下的蒸发损伤阈值,理论计算值与实验结果符合得很好.进而根据能量守恒定律数值计算了Hg0.8Cd0.2Te的蒸发温度。

关 键 词:激光烧蚀  Hg0.8Cd0.2Te晶体  蒸发阈值
修稿时间:2007-02-26

INVESTIGATION OF THE LASER ABLATION OF Hg0.8Cd0.2Te
Guo Juan,Man Baoyuan.INVESTIGATION OF THE LASER ABLATION OF Hg0.8Cd0.2Te[J].Journal of Shandong Normal University(Natural Science),2007,22(2):42-43.
Authors:Guo Juan  Man Baoyuan
Institution:College of Physics and Electronics , Shandong Normal University, 250014 , Jinan, China
Abstract:The vaporizing threshold of the Hg0.8Cd0.2Te target is measured under irradiation by the pulsed laser with a wavelength of 1064 nm and pulse width of 10 ns. The theoretical result coincides well with the data. Furthermore, we calculate the vaporizing temperature based on the law of energy conservation .
Keywords:laser ablation  Hg0  8Cd0  2Te crystal  vaporizing threshold
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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