| MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型 |
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| 引用本文： | 金钟,叶云飞,陈军宁,代月花,孙家讹. MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型[J]. 安徽大学学报(自然科学版), 2007, 31(3): 38-40. DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2007.03.010 |
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| 作者姓名： | 金钟 叶云飞 陈军宁 代月花 孙家讹 |
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| 作者单位： | 安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,安徽,合肥,230039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（60276042） |
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| 摘 要： | 在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.
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| 关 键 词： | 量子效应 多晶硅 阈值电压 栅电容 |
| 文章编号： | 1000-2162（2007）03-0038-03 |
| 修稿时间： | 2006-05-06 |
An analytical model of quantum effect in MOS inversion layer and polysilicon |
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| JIN Zhong,YE Yun-fei,CHEN Jun-ning,DAI Yue-hua,SUN Jia-e. An analytical model of quantum effect in MOS inversion layer and polysilicon[J]. Journal of Anhui University(Natural Sciences), 2007, 31(3): 38-40. DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2007.03.010 |
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| Authors: | JIN Zhong YE Yun-fei CHEN Jun-ning DAI Yue-hua SUN Jia-e |
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| Affiliation: | School of Electronic Science and Technology,Anhui University, Hefei 230039, China |
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| Abstract: | In super-sub-micrometer MOS devices,based on the improved approximation of triangular potential field and least-squares curve fit,we quantitatively explore the combined impact of quantum effects of electrons in silicon inversion layer and polysilicon gate region.From which,a physically based analytical model is described.Additionally,the threshold voltages and gate capacitance in MOS devices with the new model are calculated.Comparing to simulation results,our model renders satisfactory results. |
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| Keywords: | quantum effects polysilicon threshold voltage gate capacitance |
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