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区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池
引用本文:李维刚,许颖,励旭东,姬成周.区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池[J].北京师范大学学报(自然科学版),2001,37(6):746-749.
作者姓名:李维刚  许颖  励旭东  姬成周
作者单位:1. 北京师范大学低能核物理研究所,
2. 北京市太阳能研究所光电室,
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);;
摘    要:研究了区溶再结晶(ZMR)设备及其工艺特点。在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10.21%,填充因子为0.6913的电池产品。

关 键 词:区熔再结晶  多晶硅薄膜  太阳电池  快速热化学气相沉积  制备工艺  转换效率
修稿时间:2001年4月23日

ZONE MELTING RECRYSTALLIZATION FOR POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM SOLAR CELLS
Li Weigang,Xu Ying,Li Xudong,Ji Chengzhou.ZONE MELTING RECRYSTALLIZATION FOR POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM SOLAR CELLS[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2001,37(6):746-749.
Authors:Li Weigang  Xu Ying  Li Xudong  Ji Chengzhou
Institution:Li Weigang 1) Xu Ying 2) Li Xudong 1) Ji Chengzhou 1)
Abstract:
Keywords:zone melting recrystallization  poly-crystalline silicon film  solar cell
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