| 8—12μm GaAs量子阱红外探测器及其线阵列 |
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| 引用本文： | 陈正豪.8—12μm GaAs量子阱红外探测器及其线阵列[J].科学通报,1993,38(12):1075-1075. |
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| 作者姓名： | 陈正豪 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，中国科学院物理研究所，华北光电技术研究所，华北光电技术研究所，华北光电技术研究所，华北光电技术研究所，华北光电技术研究所 北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100080，北京 100015，北京 100015，北京 100015，北京 100015，北京 100015 |
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| 摘 要： | 由于量子尺寸受限效应和超周期性的存在,超晶格量子阱的导带中形成了量子化的子能带.这些子能带可以由控制垒宽、垒高和阱宽,以及由设计阱的形状而得到剪裁,使导带中子能带间光跃迁的红外共振吸收峰在相当宽的范围得到调节.所谓量子阱红外探测器,就是利用半导体超晶格量子阱材料子带间光跃迁的红外吸收特性研制而成的一种新颖、快速、高灵敏
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| 关 键 词： | 量子阱 红外探测器 线阵列 砷化镓 |
| 收稿时间： | 1992-08-03 |
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