| 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源 |
| |
| 引用本文： | 张道礼,梁延彬,吴艳辉,陈胜.一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J].华中科技大学学报(自然科学版),2007,35(11):106-108. |
| |
| 作者姓名： | 张道礼 梁延彬 吴艳辉 陈胜 |
| |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
2. 弥亚微电子,上海有限公司,上海,201204 |
| |
| 摘 要： | 基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.
|
| 关 键 词： | 带隙基准 反馈 温度系数 电源抑制比 可修调电阻 |
| 文章编号： | 1671-4512(2007)11-0106-03 |
| 修稿时间： | 2006年8月7日 |
CMOS bandgap reference voltage source with high PSRR |
| |
| Zhang Daoli,Liang Yanbin,Wu Yanhui,Chen Sheng.CMOS bandgap reference voltage source with high PSRR[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2007,35(11):106-108. |
| |
| Authors: | Zhang Daoli Liang Yanbin Wu Yanhui Chen Sheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
