| PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究 |
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| 引用本文： | 翁丽敏,何奕骅,范焕章,许春芳,杨光,邬学文. PECVD a-SiNx:H的~1H NMR研究[J]. 华东师范大学学报(自然科学版), 1998, 0(3) |
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| 作者姓名： | 翁丽敏 何奕骅 范焕章 许春芳 杨光 邬学文 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学技术系!上海200062(翁丽敏，何奕骅，范焕章，许春芳)，华东师范大学分析测试中心!上海200062(杨光，邬学文) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!19374023 |
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| 摘 要： | 用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。
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| 关 键 词： | 氮化硅 氢原子 核磁共振 |
~1H NMR Studies of PECVD a-SiNx:H |
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| Weng Limin,He Yihua,Fan Huanzhang,Xu Chunfang. ~1H NMR Studies of PECVD a-SiNx:H[J]. Journal of East China Normal University(Natural Science), 1998, 0(3) |
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| Authors: | Weng Limin He Yihua Fan Huanzhang Xu Chunfang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon nitride hydrogen nuclear magnetic resonance(NMR) |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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