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| 纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究 | |
| 引用本文： | 李明华 宋淑芳. 纳米SnO2薄膜的制备,结构和性能研究[J]. 内蒙古大学学报(自然科学版), 2000, 31(4): 376-379 |
| 作者姓名： | 李明华 宋淑芳 |
| 作者单位： | 内蒙古大学物理学系 |
| 摘 要： | 在真空度为１３３．３μＰａ时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积ＳｎＯ２薄膜。通过ＸＲＤ,ＳＥＭ等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的ＳｎＯ２薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Ｂｉ有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Ｂｉ后,薄膜的电学特性增强,而掺Ｉｎ,Ｃｄ则影响不大。 |
| 关 键 词： | 结构 性能 纳米二氧化锡薄膜 制备 半导体 |
Studiesof the Preparation,Structure andProperties of the Nano-SnO2 Thin Films |
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| Keywords: | |
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