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| 国内期刊亮点 | |
| 摘 要： | 正实现室温下磁通驱动型忆耦器忆阻器、忆容器和忆感器是近年来新发现的3种具有记忆功能的电路元件,它们在构建类人脑突触存储、逻辑运算和神经形态计算等新型电子器件方面表现出巨大的潜力。中国科学院物理研究所孙阳、尚大大山山、柴一晟等通过理论分析,建立了基于非线性电荷-磁通关系的第4种记忆电路元件——忆耦器的理论模 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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