| 半导体光放大器超快相位特性的理论分析 |
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| 引用本文： | 陈立功,徐天翔,郑秀,张尚剑,郭小伟,唐雄贵,刘永.半导体光放大器超快相位特性的理论分析[J].科学通报,2012(6):479-484. |
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| 作者姓名： | 陈立功 徐天翔 郑秀 张尚剑 郭小伟 唐雄贵 刘永 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2011CB301705);国家自然科学基金(60925019,61090393,60907008)资助 |
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| 摘 要： | 针对目前对于半导体光放大器中的超快相位特性缺乏深入的理论分析、相关的物理机制还不清楚的现状,采用数值方式对半导体光放大器中的超快相位特性进行了详细的理论分析与解释.通过分析载流子加热、光谱烧孔等带内超快物理效应与载流子消耗等带间效应对相位贡献的物理机制的不同,并考虑到脉冲能量在相位响应中的作用,研究了半导体光放大器的相位响应特性.在分析相位响应特性的基础上,进一步解释了相位响应与增益响应存在时间延迟的原因,分析结果与已报道的实验测量结果相吻合.理论分析结果能够为超快光信号处理,如光波长、全光逻辑、光波长转换、光分插复用等提供理论指导.
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| 关 键 词： | 光信号处理 非线性光学 带内物理效应 非线性相移 半导体光放大器 |
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