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| Ga_(1-x)Al_xAs晶体的2LO和LO_1+LO_2双声子共振喇曼散射 | |
| 引用本文： | 连世阳,杨锦赐.Ga_(1-x)Al_xAs晶体的2LO和LO_1+LO_2双声子共振喇曼散射[J].厦门大学学报(自然科学版),1986(2). |
| 作者姓名： | 连世阳 杨锦赐 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系，厦门大学物理学系 |
| 摘 要： | 本文研究了Ga_1～xAlxAs晶体的LO、2LO和LO_1+LO_2声子的共振喇曼散射。为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于禁带宽度随Ga_(1-x)AlxAs的组分x而变化以及半导体能带的温度效应来完成本测试工作。用Frohlich耦合机理解释了选择定则禁止的LO声子散射。2LO(Г)和LO_1+LO_2双声子共振喇曼散射都解释为Frohlich相互作用引起的重迭电子一单声子散射过程。测量结果得出室温时Gao.3Alo,7As的直接带隙E_0为2.43eV。 |
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