| 电子束蒸发Al2O3/SiO2复合薄膜电学性能的研究 |
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| 引用本文： | 翁卫祥,贾贞,于光龙,李昱,郭太良.电子束蒸发Al2O3/SiO2复合薄膜电学性能的研究[J].福州大学学报(自然科学版),2011,39(1):67-71. |
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| 作者姓名： | 翁卫祥 贾贞 于光龙 李昱 郭太良 |
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| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院; |
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| 基金项目： | 国家“863”计划重大专项资助项目(2008AA03A313); 福州大学博士基金资助项目(826768) |
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| 摘 要： | 利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了A12O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80...
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| 关 键 词： | Al2O3 SiO2 复合薄膜 电子束蒸发 电学性能 导通机制 |
Electrical property of Al_2O_3/SiO_2 multilayer films deposited by electron evaporation |
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| WENG Wei-xiang,JIA Zhen,YU Guang-long,LI Yu,GUO Tai-liang.Electrical property of Al_2O_3/SiO_2 multilayer films deposited by electron evaporation[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2011,39(1):67-71. |
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| Authors: | WENG Wei-xiang JIA Zhen YU Guang-long LI Yu GUO Tai-liang |
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| Institution: | WENG Wei-xiang,JIA Zhen,YU Guang-long,LI Yu,GUO Tai-liang(College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou,Fujian 350108,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al2O3 SiO2 multilayer films electron deposition electrical property conduction mechanism |
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