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| 优质高稳定性微晶硅薄膜的制备 | |
| 作者姓名： | 祝祖送 张杰 易明芳 尹训昌 闻军 |
| 作者单位： | 安庆师范学院物理与电气工程学院;安庆师范学院物理与电气工程学院;安庆师范学院物理与电气工程学院;安庆师范学院物理与电气工程学院;安庆师范学院物理与电气工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（11447197）;安徽省教育厅基金（AQKJ2014B019）;安徽省自然科学基金（1608085MA21） |
| 摘 要： | 对以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积优质高稳定性的微晶硅薄膜进行了研究.在低于250℃下,成功制备出了沉积速率高达0.28nm/s、晶化度达80%以上的微晶硅薄膜.通过光照实验,表明该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%. |
| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 光照稳定性 均匀性 |
| 收稿时间： | 2015-09-23 |
| 修稿时间： | 2015-10-21 |
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