| Ni薄膜的居里点和第二个磁性特征温度(Ⅰ) |
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| 引用本文： | 金汉民,王景海,吴瑞雪,李仪,裴守忠,姜溯洲,宋博兴,王魁香,翟世年,赵锡九.Ni薄膜的居里点和第二个磁性特征温度(Ⅰ)[J].吉林大学学报(理学版),1964(3). |
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| 作者姓名： | 金汉民 王景海 吴瑞雪 李仪 裴守忠 姜溯洲 宋博兴 王魁香 翟世年 赵锡九 |
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| 作者单位： | 吉林大学，吉林大学，东北物理研究所，吉林大学，吉林大学，吉林大学，吉林大学，吉林大学，吉林大学 1963年毕业生，1963年毕业生，1964年毕业生，1964年毕业生，1964年毕业生，1964年毕业生，1964年毕业生，1964年毕业生 |
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| 摘 要： | 用惯用的不同方法测量了较薄 Ni 膜的居里点,得到了下列结果:1.用转矩法测得的“居里点”θ_L 随测量磁场增加而提高,但除一小段中间区域外,在高磁场(数千 Oe 以上)和低磁场(数百 Oe 以下),θ_L 基本上不随磁场而变。2.θ_(L∞)≈θ_p=θ_k,其中θ_(L∞)表示,在强磁场中测得的θ_L 值,也就是居里点;θ_p 和θ_k 分别表示铁磁性引起的附加负电阻ΔR和电阻在强磁场中的各向异性消失的温度。θ_(L∞)随膜厚度减少而降低。3.磁膜具有明显地不同于居里点的第二个磁性特征温度 T_0,它等于■其中和θ_R和θ_s分别为电阻和.Hall电压随温度T的变化奉与T的关系中出现的峰所对应的温度;θ_m为磁电阻效应与温度的关采中出现的峰听对应的温度;e二为强磁塌中,Hall电压随磁埸的变化率与温度的关系中出现的峰所对应的温度:θ_L0为在弱磁锡中侧得的θ_L值.T_0低于居里点.T_0和θ_L∞----T_0分别随膜厚度减少而降低和提除上述关于居里点和T_0的桔果以外,还得到了下面的桔果:1.△R(T)=CR_11----1(T),其中与R_11----1是平行于膜面的强磁踢平行和垂A于通过膜的电流方向时的电阴值之差;C是常数。C=40-100 (500-50A)。2.退磁伏态NI膜的磁化分布值到200-300~0C(
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