| 氢对a-Si∶H结构影响的理论分析 |
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| 引用本文： | 陈光华,孙国胜,李亚虹,张仿清.氢对a-Si∶H结构影响的理论分析[J].兰州大学学报(自然科学版),1990(2). |
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| 作者姓名： | 陈光华 孙国胜 李亚虹 张仿清 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系
(陈光华，孙国胜，李亚虹)，兰州大学物理系(张仿清) |
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| 摘 要： | 在 a—Si∶H 薄膜中,H 严重地影响了 a—Si∶H 薄膜的光电性能.我们用自洽场分子轨道理论和 CNDO/2近似方法.计算了Si_8H_(18)]和Si_8]原子团结构模型,得到了如下结论,亦即随着Si_8H_(18)]和Si_8]结构中取代 H 数目的增加,这些原子团趋于稳定,原子团的禁带宽度 Eg 也随之增大;原子团减小,Si—H 键使 Si—Si 键的作用加强.由此我们得出了随着取代氢数目的增加,整个体系的无序性增强的结论.
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| 关 键 词： | 非晶态半导体 结构模型 分子轨道理论 原子团 |
A Theoritical Analysis of the Influence of H on a-Si:H Structure |
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| Chen Guanghua,Sun Guosheng,Li Yahong,Zhang Fangqing.A Theoritical Analysis of the Influence of H on a-Si:H Structure[J].Journal of Lanzhou University(Natural Science),1990(2). |
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| Authors: | Chen Guanghua Sun Guosheng Li Yahong Zhang Fangqing |
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| Institution: | Departmet of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | non-crystlline structural model molecular orbital theory cluster |
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