| SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究 |
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| 引用本文： | 郑有炓,宋正荣,张荣,孙勤生,江若琏,徐俊明.SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究[J].南京大学学报(自然科学版),1986(4). |
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| 作者姓名： | 郑有炓 宋正荣 张荣 孙勤生 江若琏 徐俊明 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2)以上,随着离开E_v指向E_i迅速降低。在E_v 0.41ev和E_v 0.55ev处各测得一个深能级。文中测量了淀积前InP表面四种不同处理的样品,发现界面态密度依賴于表面处理的方法,但其分布是相似的。文中还对InP MIS结构样品的CC—DLTS测量方法和测试条件作了探索与分析。最后,对SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级分布作了讨论分析。
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| 关 键 词： | 恒定电容深能级瞬态谱 MIS结构 界面态 体深能级 |
STUDY OF INTERFACE STATES AND BULK TRAP LEVELS IN THE SiO_2-InP MIS STRUCTURE |
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| Zheng Youdou,Song Zhengrong,Zhang Rong,Sun Qinsheng,Jiang Ruolian,and Xu Junming.STUDY OF INTERFACE STATES AND BULK TRAP LEVELS IN THE SiO_2-InP MIS STRUCTURE[J].Journal of Nanjing University: Nat Sci Ed,1986(4). |
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| Authors: | Zheng Youdou Song Zhengrong Zhang Rong Sun Qinsheng Jiang Ruolian and Xu Junming |
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| Institution: | Department of physics |
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| Keywords: | Constant capacitance deep level transient spectroscopy MIS structure Interface state Bulk trap state |
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