| HgCdTe/CdZnTe的MOVPE生长形貌特性 |
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| 引用本文： | 张静蓉,姬荣斌,杨玉林,宋炳文.HgCdTe/CdZnTe的MOVPE生长形貌特性[J].科学技术与工程,2005,5(4):222-224. |
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| 作者姓名： | 张静蓉 姬荣斌 杨玉林 宋炳文 |
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| 作者单位： | 1. 北京理工大学理学院,北京,100081;昆明物理研究所三室,昆明,650223
2. 昆明物理研究所三室,昆明,650223 |
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| 摘 要： | 描述了碲锌镉(CZT)衬底性质对碲镉汞(MCT)薄膜结构的影响,碲锌镉晶片的取向、结晶完整性、缺陷浓度及对碲锌镉晶片的生长前处理都会影响碲镉汞薄膜表面特性,薄膜结构随碲锌镉衬底质量提高而改善。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 薄膜 碲锌镉 表面 缺陷 FWHM 取向 |
| 文章编号： | 1671-1815(2005)04-0222-03 |
| 修稿时间： | 2004年10月19 |
The Surface Characteristics of HgCdTe/CdZnTe Growth by MOVPE Method |
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| ZHANG Jingrong,JI Rongbin,YANG Yulin,SONG Bingwen.The Surface Characteristics of HgCdTe/CdZnTe Growth by MOVPE Method[J].Science Technology and Engineering,2005,5(4):222-224. |
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| Authors: | ZHANG Jingrong JI Rongbin YANG Yulin SONG Bingwen |
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| Abstract: | The influence of the character of CdZnTe(CZT) substrate to the structure of HgCdTe(CMT) film is described. All the direction, crystal integrality nature, concentration of defect of CZT wafer and the way of preparing CZT before growth are effected the surface character of CMT. The film improves by increasing CZT substrate quality. |
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| Keywords: | MCT film CZT surface defect FWHM direction |
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