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| 具有高热释电品质因数的ADTGSP晶体 | |
| 引用本文： | 房昌水.具有高热释电品质因数的ADTGSP晶体[J].科学通报,1988,33(12):903-903. |
| 作者姓名： | 房昌水 |
| 作者单位： | 山东大学晶体材料研究所 济南 (房昌水，王民)，山东大学晶体材料研究所 济南(卓洪昇) |
| 摘 要： | 在前几篇文章中,我们介绍了新的热释电晶体ATGSP,即掺有L-丙氨酸和磷酸的硫酸三甘氨酸晶体,简称ATGSP。该晶体与TGS晶体相比,具有较高的热释电系数,低的介电常数和介质损耗,热释电品质因数较TGS晶体有明显的提高,现已利用该材料试制出了高质量的红外探测器和摄像管靶面。但是ATGSP晶体的居里温度仍为49℃,因其偏低而影响到器件的应用温度范围。为了提高ATGSP晶体的居里温度T_c,我们研究了氘化的ADTGSP |
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