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MgB2超导膜:几种制备方法和样品性质表征
引用本文:王淑芳,周岳亮,朱亚彬,陈正豪,吕惠宾,杨国桢.MgB2超导膜:几种制备方法和样品性质表征[J].自然科学进展,2005,15(8):1007-1010.
作者姓名:王淑芳  周岳亮  朱亚彬  陈正豪  吕惠宾  杨国桢
作者单位:1. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
2. 光物理开放实验室,北京凝聚态物理国家实验室&中国科学院物理研究所,北京,100080
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:分别利用化学气相沉积、脉冲激光沉积和电泳技术在氧化物单晶基片MgO(111)和c-Al2O3上制备了MgB2超导薄膜和厚膜.所制备的样品均为c轴取向生长或c轴织构生长.三种方法制备的样品的零电阻转变温度分别为38,38.4和39 K.薄膜的临界电流密度在15 K,0 T时高达107A/cm2,达到了目前国际报道的最好水平.薄膜的微波表面电阻Rs在10 K,18 GHz下约为100μΩ,可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟.

关 键 词:MgB2超导膜  化学气相沉积  脉冲激光沉积  电泳
收稿时间:2005-01-31
修稿时间:2005-01-312005-03-08
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