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| GaAs掺杂3d过渡族金属材料的局域电子结构和磁性 | |
| 作者姓名： | 蔺何 段海明 |
| 作者单位： | 新疆大学化学化工学院应用化学研究所 乌鲁木齐830046(蔺何),新疆大学物理科学与技术学院 乌鲁木齐830046(段海明) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：10347010）和新疆大学青年教师科研启动基金资助项目致谢 本文的部分研究工作是在中国科学院固体物理研究所访问学习时完成,在此特别感谢固体物理研究所曾雉研究员的指导和帮助;同时感谢新疆大学贾殿赠教授对本文研究工作的大力支持. |
| 摘 要： | 运用原子团模型研究了GaAs掺杂3d过渡族金属（Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni）的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法．计算结果表明这8种掺杂元素的磁矩先增大再减小（按Sc—Ni排列）,当Mn被掺杂到GaAs后,磁矩达到极大,且Mn的磁矩在掺杂浓度为1.4％时与实验符合得很好．在包含两个掺杂原子的体系中,掺杂原子之间的耦合形式有明显的变化．对于不同的掺杂元素,掺杂原子和最近邻的As原子之间的耦合形式也有不同的变化． |
| 关 键 词： | 稀磁半导体 密度泛函理论 3d过渡族金属 原子团模型 电子结构 |
| 收稿时间： | 2007-01-15 |
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